図1　ミリングモデル図

Broad Ion Beam（BIB）は、高分子やセラミックス等、硬さの大きく異なる物質が混在している試料でも、平坦な断面が作製できる装置です。試料に遮蔽板を密着させ、遮蔽板から出ている部分をアルゴンイオンビームで削り、断面を作製します（図1）。SEM観察や元素分析の前処理方法として有用です。
試料に応じてアルゴンイオンビームを断続的に照射する間欠モードや試料ステージの冷却機能を活用することで、熱に弱い試料でも平坦な断面を作製可能です。
Focused Ion Beam（FIB）と比較すると、FIBの方が加工位置精度は高いです（一般的に、FIBが10nm前後に対してBIBは10µm前後）が、BIBではFIBより低ダメージで広範囲（最大幅1mm程度）を加工可能です。
また、アルゴンイオンビームを試料表面に対して斜めから照射することで、結晶方位や組成差によるエッチングレート差を反映した凹凸が生じます（平面ミリング法）。この凹凸を利用して試料の結晶方位や組成分布を評価することが可能です。